3. Chipset（高级芯片组特征设置）使用此菜单可以修改芯片组寄存器的值，优化系统的性能表现。
Configure SDRAM Timing by
设置决定SDRAM 的时钟设置是否由读取内存模组上的SPD (SerialPresence Detect) EEPROM 内容决定。设置为Enabled将根据SPD自动设置其中的项目，如果你把其选项选择未为Disabled，则会出现以下项目： SDRAM CAS# Latency, DRAM RAS＃ Precharge, DRAM RAS＃ to CAS Delay,DRAM precharge Delay和DRAM Burst Length。如果您对芯片组不熟悉请不要修改这些设定。
SDRAM CAS# Latency（SDRAM CAS#延迟）
项控制在SDRAM接受并开始读指令后的延迟时间(在时钟周期内) 的。设定值为：2, 2.5, 3.0 (clocks)。值越小则性能越强！但是稳定性相对下降！
DRAM RAS＃ Precharge（Precharge命令延时）
本项目控制当SDREM送出Precharge命令后，多少时间内不再送出命令。设定值有：4，3，2(clocks)
RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延迟）
当DRAM 刷新后，所有的行列都要分离寻址。此项设定允许您决定从RAS (行地址滤波) 转换到CAS (列地址滤波)的延迟时间。更小的时钟周期会使DRAM有更快的性能表现。设定值有：4，3，2(clocks)
DRAM precharge Delay（脉冲周期）
这个设置是用来控制提供给SDRAM参数使用的SDRAM时钟周期！设定值有：8，7，6，5，(clocks)
SDRAM Burst Length（SDRAM爆发存取长度）
此设置允许你设置DRAM爆发存取长度的大小。爆发特征是DRAM在获得第一个地址后自己预测下一个存取内存位置的技术。使用此特性，你必须要定义爆发长度，也就是开始地址爆发脉冲的实际长度。同时允许内部地址计数器能正确的产生下一个地址位置。尺寸越大内存越快。设定值： 4，8(clocks)。
AGP Aperture Size (AGP内存分配)
此项用来控制有多少系统内存可分配给AGP卡显示使用。孔径是用于图形内存地址空间一部分PCI内存地址范围。进入孔径范围内的主时钟周期会不经过翻译直接传递给AGP。设定值为：4MB，8MB，16MB，32MB，64MB，128MB，和256 MB。
